Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от DC до 4 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе, или в бескорпусном исполнении.
Основные характеристики:
- Частотный диапазон: DC - 4.0 ГГц
- Номинальная импульсная выходная мощность*: 100 Вт
- Коэффициент усиления по мощности*: 14.5 дБ
- Коэффициент полезного действия стока*: 55 %
- Рабочее напряжение питания: 50 В
- Высокое пробивное напряжение сток-исток
- Режим работы: непрерывный, импульсный
- Металлокерамический корпус
- Золотая система металлизации
- Высокая надежность
* - на частоте 3.1 ГГц
