MGN43-150A
MGN43-150A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 150 Вт.
MGN1643-25A
MGN1643-25A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 25 Вт.
MGN1643-5A
MGN1643-5A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 5 Вт.
MGN1631-10A
MGN1631-10A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 10 Вт.
MGN43-120A
MGN43-120A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 120 Вт.
MGN43-100A
MGN43-100A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 100 Вт.
MGN43-70A
MGN43-70A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 70 Вт.
MGN31-1000A
MGN31-1000A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 1000 Вт.
MGN31-350A
MGN31-350A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 350 Вт.
MGN31-250A
MGN31-250A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 250 Вт.
MGN1643-25B
MGN1643-25B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 25 Вт.
MGN1643-5B
MGN1643-5B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 5 Вт.
MGN1631-10B
MGN1631-10B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 10 Вт.
MGN16-50B
MGN16-50B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 50 Вт.
MGN31-150A
MGN31-150A — мощный СВЧ GaN-транзисторс высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 150 Вт.
MGN31-120A
MGN31-120A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 120 Вт.
MGN31-100A
MGN31-100A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 100 Вт.
MGN31-70A
MGN31-70A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 70 Вт.
MGN16-1000A
MGN16-1000A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 1000 Вт.
MGN16-600B
MGN16-600B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 600 Вт.
MGN16-600A
MGN16-600A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 600 Вт.
MGN16-500A
MGN16-500A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 500 Вт.
MGN16-250A
MGN16-250A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 250 Вт.
MGN16-200A
MGN16-200A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 200 Вт.
MGN16-1200A
MGN16-1200A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 1200 Вт.
MGN16-50A
MGN16-50A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 50 Вт.
