Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от 4 ГГц до 4.3 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе.
Основные характеристики:
- Частотный диапазон: 4 - 4.3 ГГц
- Номинальная импульсная выходная мощность*: 120 Вт
- Коэффициент усиления по мощности*: 11 дБ
- Коэффициент полезного действия стока*: 45 %
- Рабочее напряжение питания: 50 В
- Высокое пробивное напряжение сток-исток
- Режим работы: непрерывный, импульсный
- Металлокерамический корпус
- Золотая система металлизации
- Высокая надежность
* - на частоте 4.3 ГГц
