Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от DC до 3 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе, или в бескорпусном исполнении.

Основные характеристики:

• Частотный диапазон: DC - 3 ГГц
• Номинальная импульсная выходная мощность*: 200 Вт
• Коэффициент усиления по мощности*: 20 дБ
• Коэффициент полезного действия стока*: 60 %
• Рабочее напряжение питания: 50 В
• Высокое пробивное напряжение сток-исток
• Режим работы: непрерывный, импульсный
• Металлокерамический корпус
• Золотая система металлизации
• Высокая надежность