MGN31-100A

Назад к списку продуктов

MGN31-100A

Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от DC до 4 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе, или в бескорпусном исполнении.

Основные характеристики:
  • Частотный диапазон: DC - 4.0 ГГц
  • Номинальная импульсная выходная мощность*: 100 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности*: 14.5 дБ
  • Коэффициент полезного действия стока*: 55 %
  • Рабочее напряжение питания: 50 В
  • Высокое пробивное напряжение сток-исток
  • Режим работы: непрерывный, импульсный
  • Металлокерамический корпус
  • Золотая система металлизации
  • Высокая надежность
 * - на частоте 3.1 ГГц

MGN31-100A

Библиотека

Документация
Спецификация на транзистор MGN31-100А
Версия 0.2.0 от 19.05.2026
pdf / 1.51Мб
Загрузить
Модели
STEP-модель корпуса КТ-81А-3 К
09.09.2026
step / 266Кб
Загрузить
S-параметры в формате s2p для MGN31-100А
02.10.2026
zip / 32Кб
Загрузить

Подписаться на обновления

Микроконтроллеры и процессоры
32-разрядные микроконтроллеры
Процессоры ЦОС
Микросхемы памяти
Постоянные запоминающие устройства
Оперативные запоминающие устройства
Программно-отладочные средства
Демонстрационные платы
Отладочные комплекты
Программаторы
Микросхемы управления питанием
Линейные регуляторы напряжения
Интерфейсные микросхемы
CAN, CAN FD
Ethernet
LVDS
RS-232
RS-485 RS-422
Микросхемы преобразователей
АЦП
Микросхемы-коммутаторы
Микросхемы для приборов учета электроэнергии
Микросхемы шинных формирователей
СВЧ-электроника
СВЧ-усилители (GaN)
СВЧ-транзисторы (GaN)
Кварцевые генераторы