Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от DC до 2 ГГц в импульсном режиме. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе.
Основные характеристики:
- Частотный диапазон: DC - 2 ГГц
- Номинальная импульсная выходная мощность*: 1000 Вт
- Коэффициент усиления по мощности*: 17 дБ
- Коэффициент полезного действия стока*: 60 %
- Рабочее напряжение питания: 50 В
- Высокое пробивное напряжение сток-исток
- Режим работы: импульсный
- Металлокерамический корпус
- Золотая система металлизации
- Высокая надежность
* - на частоте 1.6 ГГц
