MGN16-1000A

Назад к списку продуктов

MGN16-1000A ( MGN16-1000A )

Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от DC до 2 ГГц в импульсном режиме. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе.

Основные характеристики:
  • Частотный диапазон: DC - 2 ГГц
  • Номинальная импульсная выходная мощность*: 1000 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности*: 17 дБ
  • Коэффициент полезного действия стока*: 60 %
  • Рабочее напряжение питания: 50 В
  • Высокое пробивное напряжение сток-исток
  • Режим работы: импульсный
  • Металлокерамический корпус
  • Золотая система металлизации
  • Высокая надежность
* - на частоте 1.6 ГГц

MGN16-1000A

Библиотека

Документация
Спецификация на транзистор MGN16-1000А
Версия 0.1.0 от 16.03.2026
pdf / 1.04Мб
Загрузить

Подписаться на обновления

Микроконтроллеры и процессоры
32-разрядные микроконтроллеры
Процессоры ЦОС
Программно-отладочные средства
Демонстрационные платы
Отладочные комплекты
Программаторы
Микросхемы памяти
Постоянные запоминающие устройства
Оперативные запоминающие устройства
Микросхемы управления питанием
Линейные регуляторы напряжения
Интерфейсные микросхемы
CAN, CAN FD
Ethernet
RS-232
RS-485 RS-422
Микросхемы преобразователей
АЦП
Микросхемы для приборов учета электроэнергии
Микросхемы шинных формирователей
Микросхемы-коммутаторы
СВЧ-транзисторы (GaN)
Кварцевые генераторы