Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от DC до 6 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Поставка осуществляется в стандартном металлополимерном корпусе, или в бескорпусном исполнении.
Основные характеристики:
- Частотный диапазон: DC - 6.0 ГГц
- Номинальная импульсная выходная мощность: 25 Вт
- Коэффициент усиления по мощности: 15 дБ
- Коэффициент полезного действия стока: 55 %
- Рабочее напряжение питания: 50 В
- Высокое пробивное напряжение сток-исток
- Режим работы: непрерывный, импульсный
-
Металлополимерный корпус
