Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от 2.5 ГГц до 3.1 ГГц в импульсном режиме. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе.
- Частотный диапазон: DC - 2 ГГц
- Номинальная импульсная выходная мощность*: 1000 Вт
- Коэффициент усиления по мощности*: 12.5 дБ
- Коэффициент полезного действия стока*: 50 %
- Рабочее напряжение питания: 50 В
- Высокое пробивное напряжение сток-исток
- Режим работы: импульсный
- Металлокерамический корпус
- Золотая система металлизации
- Высокая надежность
* - на частоте 3.1 ГГц
