MGN31-100A

Назад к списку продуктов

MGN31-100A ( MGN31-100A )

Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от DC до 4 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе, или в бескорпусном исполнении.

Основные характеристики:
  • Частотный диапазон: DC - 4.0 ГГц
  • Номинальная импульсная выходная мощность*: 100 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности*: 14.5 дБ
  • Коэффициент полезного действия стока*: 55 %
  • Рабочее напряжение питания: 50 В
  • Высокое пробивное напряжение сток-исток
  • Режим работы: непрерывный, импульсный
  • Металлокерамический корпус
  • Золотая система металлизации
  • Высокая надежность
 * - на частоте 3.1 ГГц

MGN31-100A

Библиотека

Документация
Спецификация на транзистор MGN31-100А
Версия 0.1.0 от 16.03.2026
pdf / 1.52Мб
Загрузить

Подписаться на обновления

Микроконтроллеры и процессоры
32-разрядные микроконтроллеры
Процессоры ЦОС
Программно-отладочные средства
Демонстрационные платы
Отладочные комплекты
Программаторы
Микросхемы памяти
Постоянные запоминающие устройства
Оперативные запоминающие устройства
Микросхемы управления питанием
Линейные регуляторы напряжения
Интерфейсные микросхемы
CAN, CAN FD
Ethernet
RS-232
RS-485 RS-422
Микросхемы преобразователей
АЦП
Микросхемы для приборов учета электроэнергии
Микросхемы шинных формирователей
Микросхемы-коммутаторы
СВЧ-транзисторы (GaN)
Кварцевые генераторы