MGN31-250A

Назад к списку продуктов

MGN31-250A ( MGN31-250A )

Производится по GaN-on-SiC технологии с напряжением питания 50 В. Предназначен для работы в составе усилительных устройств на частотах от 2.5 до 3.1 ГГц в импульсном режиме. Поставка осуществляется в стандартном металлокерамическом корпусе.

Основные характеристики:
  • Частотный диапазон: 2.5 – 3.1 ГГц
  • Номинальная импульсная выходная мощность*: 250 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности*: 13 дБ
  • Коэффициент полезного действия стока*: 50 %
  • Рабочее напряжение питания: 50 В
  • Высокое пробивное напряжение сток-исток
  • Режим работы: непрерывный, импульсный
  • Металлокерамический корпус
  • Золотая система металлизации
  • Высокая надежность  
* - на частоте 3.1 ГГц

MGN31-250A

Библиотека

Документация
Спецификация на транзистор MGN31-250А
Версия 0.1.0 от 16.03.2026
pdf / 873Кб
Загрузить

Подписаться на обновления

Микроконтроллеры и процессоры
32-разрядные микроконтроллеры
Процессоры ЦОС
Программно-отладочные средства
Демонстрационные платы
Отладочные комплекты
Программаторы
Микросхемы памяти
Постоянные запоминающие устройства
Оперативные запоминающие устройства
Микросхемы управления питанием
Линейные регуляторы напряжения
Интерфейсные микросхемы
CAN, CAN FD
Ethernet
RS-232
RS-485 RS-422
Микросхемы преобразователей
АЦП
Микросхемы для приборов учета электроэнергии
Микросхемы шинных формирователей
Микросхемы-коммутаторы
СВЧ-транзисторы (GaN)
Кварцевые генераторы